1200℃二重管スライド式単・多温域CVDシステム

ネゴシエーション可能更新03/24

モデル

メーカーの性質: 生産者

製品カテゴリ＃セイヒンカテゴリ＃（product category）＃（product）＃（product）＃（product）（product）（product）（prod

原産地

オンラインコンサルティング

概要

製品用途：このCVDシステムは金属箔上に膜を成長させるために設計され、特に次世代エネルギーのフレキシブル金属箔電極に関する研究に応用され、スライド炉を通じて急速な加熱と冷却を実現する。

製品詳細

製品の用途：

このCVDシステムは、金属箔上に膜を成長させるために設計されており、特に次世代エネルギーに応用されているフレキシブル金属箔について

電極側の研究では、スライド炉を通じて急速な加熱と冷却を実現している。

製品構成：

CVDシステム構成：

1.1200度オープン式真空管式炉（単温区及び二温区を選択可能）。

2.スライドシステムは手動、電動スライドに分けられ、空冷システムが付いている。

3.真空可通雰囲気二重フランジ特殊接続を採用した内外二重石英管。

4.多重ガス流量制御システム（プロトン流量制御器とフロート流量制御器）

5.真空システム（中真空または高真空を選択可能）

製品特徴：

製品独自性

1制御回路はファジィPIDプログラム制御技術を選択し、この技術は温度制御精度が高く、熱慣性が小さく、温度が衝突しない、性能が信頼でき、操作が簡単である。

2気路快速接続フランジ構造は当社独自の知的財産権特許設計を採用し、操作の利便性を高めている。

3中真空システムは真空度上下限自動制御機能を有し、高真空システムは高圧強、耐衝撃分子ポンプを採用し、意外な空気漏れを防止する分子ポンプの損傷をもたらし、システムの使用寿命を延長する。

4（電動）スライドシステムは温度コントローラを用いて炉体の移動を自動的に制御し、プログラムが完成すると、炉体は設定された速度でスライドし、スライドリミットがあるため機能、炉体は衝突せず、サンプルが炉体を露出した後、空冷システムを通じて急速に冷却する。

5二重管真空シールフランジ、反応ガスは内外管の間で反応することができ、冷却ガスは内管を通過することができ、それによって内管外壁温度を低下させることができる。

システム名	1200℃二重管スライド式単/多温領域CVDシステム
システムモデル	CVD-12II6SH-3Z/G	CVD-12III9SH-3Z/G
さいこうおんど	1200℃
かねつりょういきのながさ	610mm	940mm
こうおんいきのながさ	400mm	700mm
おんどたい	におんりょういき	さんおんいき
石英管径	内管：Φ80 mm外管：Φ100mm
ていかくでんりょく	4.8Kw	7.2Kw
ていかくでんあつ	220V	380 V（三相）
すべりきょり	485mm	650mm
スライドモード	手動スライド／自動スライド（温度制御器により自動的に移動制御され、プログラムが完了すると、炉は設定された速度でスライドする）
おんどせいぎょ	国産プログラム温度制御システム50段プログラム温度制御、
せいぎょせいど	±1℃
炉管の最高動作温度	＜1200℃
にじゅうフランジせつぞく	二重フランジ二重カフ接続を用いる拡張可能な多機能を接続し、それぞれ独立に内管と外管に対して真空とガス流量制御を行う.シールフランジとパイプ部品との接続場所は多環シール技術を採用し、シールフランジとパイプ外壁との間にシールを形成し、パイプ部品の外径誤差が大きい場合にシールは依然として有効であり、このシールフランジの取り付けは初めて設備を使用するときに取り付けるだけである
ガス制御方式	マスフローメータ
ガス回路数	3ウェイ（必要に応じてガス経路数を選択可能）
りゅうりょういき	0-500 sccm（標準ミリリットル/分、オプション）窒素ガス定格
せいど	±1%F.S
レスポンス時間	≤4sec
動作温度	5-45℃
さぎょうあつりょく	吸気圧力0.05-0.3 Mpa（表圧力）
システム接続方式	KF快速接続コルゲート管、高真空手動バッフルバルブ及びデジタル真空測定器を採用
仕様	高真空
システムしんくうはんい	1x10-3Pa-1x10-1Pa
しんくうポンプ	真空分子ポンプ理論限界真空度 5 x 10-6 Pa抽気速度1600 L/S 定格電圧220 Vパワー2 Kw
炉体外形寸法	480×770×605mm	410×1100×605mm
システム外形寸法	530×1440×750 mm（高真空を含まない）
システム総重量	340Kg

同類製品の推奨