1200℃統合型自動小型PECVDシステム

ネゴシエーション可能更新03/24

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概要

PECVDシステムは、高周波を用いて薄膜組成原子を含むガスをイオン化し、局所的にプラズマを形成するが、プラズマは化学活性が強く、反応が起こりやすく、基板上に所望の薄膜を堆積する。統合型PECVDシステムPECVD-12 IH-500 A、1200℃小型PECVDシステムPECVD-12 IH-4 Z/G

製品詳細

製品の用途

PECVDシステムは、無線周波数を用いて薄膜組成原子を含むガスをイオン化し、局所的にプラズマを形成するが、プラズマは化学活性が強く、反応が起こりやすく、基板上に所望の薄膜を堆積する。

PECVDシステム構成

1.1200度開式スライド単温域真空管式炉

2.プラズマRF電源

3.たじゅうひんしつりゅうりょうせいぎょシステム

4.真空システム（個別購入）

製品の特徴;

電源範囲が広い、温度範囲が広い、スパッタ領域が長い、管全体を調整することができます。精緻でコンパクトで、性価比が高く、急速な昇降温度を実現でき、実験室で成長させた薄膜グラフェン、金属薄膜、セラミック薄膜、複合薄膜などの理想的な選択であり、拡張プラズマ洗浄エッチングとしても使用できる。

システム名	統合型PECVDシステム	1200℃小型PECVDシステム
システムモデル	PECVD-12IH-500A	PECVD-12IH-4Z/G
せいぎょモード	LCDマイクロPLCせいぎょシステム	手動
さいこうおんど	1200℃
かねつりょういきのながさ	200mm
こうおんいきのながさ	100mm
おんどたい	たんおんりょういき
石英管径	Φ60mm	Φ50mm
ていかくでんりょく	1.2Kw	2Kw
ていかくでんあつ	220V
スライド方式及び距離	自動スライド;200mm	手動スライド;200mm
おんどせいぎょ	30セグメント制御温度	50セグメント制御温度
せいぎょせいど	±1℃
炉管の最高動作温度	＜1200℃
エアフランジ	多環密封技術を用いたカフ高速接続
排気冷却装置	高度な空気断熱技術、熱誘導技術を組み合わせて、炉体の表面温度が50℃の場合、排温ファンが自動的に起動し、炉体表面を急速に冷やす。
ガス制御方式	しつりょうりゅうりょうけい
ガス回路数	2道（2-4道）	4路（必要に応じてガス路数を選択可能）
りゅうりょういき	0-500sccm(標準ミリリットル/分、オプション）窒素ガス定格
せいど	±1%F.S
レスポンス時間	1sec
さぎょうおんど	20-120℃
さぎょうあつりょく	きゅうきあつりょく0.05-0.3Mpa(ゲージ圧力）
きゅうにゅうほうしき	逆流防止設計の採用
仕様	中真空（統合型は別途購入）
システムしんくうはんい	10Pa-100Pa
しんくうポンプ	二段機械ポンプ理論限界真空度3x10^-1Pa、抽気速度4L/S（オプション：その他の抽気真空ポンプ）,排気口には油汚れフィルター、定格電圧220V、電力0.55Kw
しんごうしゅうはすう	13.56MHz±0.005%
パワー出力範囲	0W-500W	0W-100W
さいだいはんしゃでんりょく	350W	30W
むせんしゅうはしゅつりょくインタフェース	50Ω，N-type,temale
パワー安定度	±0.1%
ハーモニック成分	≤-50dbc
給電電圧	単相交流（187V-253V)しゅうはすう50/60HZ
せいきしゅつりょく	≥70%
画面表示	順方向電力、整合器容量位置、バイアス電圧値
炉体外形寸法	290×350×340mm	290×350×495mm
システム外形寸法	420×1440×1100mm	530×2310×750mm
システム総重量	270Kg

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