プラズマ増強原子層堆積システム

プラズマ増強原子層堆積システム
（PEALD）
プラズマ増強原子層堆積（Plasma Enhance Atomic Layer Deposition、PEALD）、原子層エピタキシー（Atomic Layer Epitaxy、ALE）、または原子層化学蒸着（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition、ALCVD）とも呼ばれる。原子層堆積は1つの加熱反応の基板上に少なくとも2種類の気相前駆体源を連続的に導入し、表面が飽和するまで化学吸着すると自動的に終了し、適切なプロセス温度は分子の表面での物理吸着を阻害する。基本的な原子層堆積サイクルは、パルスA、洗浄A、パルスB、洗浄Bの4つのステップを含む。堆積サイクルは、必要な薄膜厚が得られるまで繰り返し、ナノ構造を作製してナノデバイスを形成するためのツールである。

PEALDの利点は次のとおりです。
1.反応周期数を制御することによって膜の厚さを正確に制御することができ、それによって原子層の厚さ精度を達成することができる膜、
2.前駆体は飽和化学吸着であるため、大面積均一性の薄膜の生成を保証する、
3.階段被覆及びナノ細孔材料のコーティングとして生成可能な三次元保形性化学量論フィルム、
4.多成分ナノ薄層及び混合酸化物を堆積することができ、
5.薄膜成長は低温で行うことができる（室温から400度以下）、
6.様々な形状の基板に広く適用できる、
7.原子層堆積成長させた金属酸化物薄膜はゲート誘電体、エレクトロルミネッセンスディスプレイ絶縁体、コンデンサ誘電体、MEMSデバイスに使用でき、成長させた金属窒化物薄膜は拡散障壁に適している。


プラズマ強化原子層堆積PEALDの応用：
1）High−K誘電体材料（Al 2 O 3、HfO 2、ZrO 2、PrAlO、Ta 2 O 5、La 2 O 3）、
2）導電性ゲート電極（Ir，Pt，Ru，TiN）、
3）金属相互接続構造（Cu、WN、TaN、Ru、Ir）、
4）触媒材料（Pt、Ir、Co、TiO 2、V 2 O 5）、
5）ナノ構造（All ALD Material）、
6）生物医学コーティング（TiN、ZrN、TiAlN、AlTiN）、
7）ALD金属 （Ru、Pd、Ir、Pt、Rh、Co、Cu、Fe、Ni）;
8）圧電層（ZnO，AlN，ZnS）、
9）透明電気伝導体（ZnO：Al，ITO）、
10）紫外障壁層（ZnO、TiO 2）、
11）OLEDパッシベーション層（Al 2 O 3）、
12) 光子晶体 （ZnO、ZnS:Mn、TiO2、Ta3N5）;
13）反射防止フィルタ（Al 2 O 3、ZnS、SnO 2、Ta 2 O 5）、
14）エレクトロルミネッセンス素子（SrS：Cu，ZnS：Mn，ZnS：Tb，SrS：Ce）、
15）エッチングフェンス、イオン拡散フェンスなどのプロセス層（Al 2 O 3、ZrO 2）、
16）太陽電池、レーザ、光学コーティング、ナノ光子などの光学応用（AlTiO、SnO 2、ZnO）、
17）センサ（SnO 2，Ta 2 O 5）、
18）摩耗潤滑剤、腐食バリア層（Al 2 O 3、ZrO 2、WS 2）、


システムの割り当て：
基板サイズ：6インチ、8インチ、12インチ、
加熱温度：25℃〜400℃（より高い配合が可能）、
均一性：<2%;
前駆体数：4ウェイ（オプションで6ウェイ）、
互換性：100級スーパークリーンルームに互換性がある、
サイズ：950 mmx 700 mm、
ALD及びPE−ALD技術、
現在堆積可能な材料には、次のものがあります。
1） 氧化物:Al2O3、TiO2、Ta2O5、ZrO2、HfO2、SnO2、ZnO、La2O3、V2O5、SiO2。..
2）窒化物：AlN、TaNx、NbN、TiN、MoN、ZrN、HfN、GaN、…
3）フッ化物：CaF 2、SrF 2、ZnF 2、…
4） 金属:Pt、Ru、Ir、Pd、Cu、Fe、Co、Ni、。..
5）炭化物：TiC、NbC、TaC、…
6）複合構造材料：AlTiNx、AlTiOx、AlHfOx、SiO 2：Al、HfSiOx、…
7）硫化物：ZnS、SrS、CaS、PbS、…