きゅうそくやきなましろ

製品概要：

実際のRTP100型急速焼鈍炉は韓国ウルテック会社の1項4寸法片急速焼鈍炉は、革新的な加熱技術を採用し、真の下地温度測定を実現することができ、伝統的な急速焼鈍炉の温度補償を採用する必要はなく、温度制御が正確で、温度繰り返し性が高く、顧客は国際的な多くの半導体会社と科学研究チームを含み、半導体プロセス焼鈍プロセスの理想的な選択である。

n 技術上の特徴：

-従来の温度補償なしの真の基板温度測定

-赤外ハロゲン管ランプ加熱

-極めて優れた加熱温度精度と均一性

-高速数字PIDおんどせいぎょ

-ステンレス冷壁真空チャンバ

-システムの安定性が良い

-コンパクトな構造、コンパクトなデスクトップシステム

-タッチパネルPC制御

-常圧と真空環境に適合し、真空度の標準値は5x10-3Torr、二級分子ポンプを用いて真空度が低い5x10-6Torr

-3路ガス（MFC制御）

-交差汚染がなく、金属汚染がない

n 技術紹介：

上図のように、アレイ式ハロゲンランプから放射された熱は石英窓を経てサンプル表面に到達し、サンプルは加熱され、伝統的な急速焼鈍炉は熱電対を用いて基板温度を測定し、熱電対は基板と一定の距離があるため、測定されたのは基板の本当の温度ではなく、温度補償を行う必要がある。

実際のRTP100型急速焼鈍炉は専用の1本のシート状のリアル T/C キット温度測定を行い、上図のように、熱電対温度測定器とシート状リアル T/C キット接続、作業時のシート状リアル T/C キット試料の上方に近い位置に位置し、アレイ式ハロゲンランプから放射された熱は石英窓を経て試料表面に到達し、試料は加熱され、シート状リアル T/C キット同時に加熱する、基板とリアル T/C キット非常に近く、それらの間にも熱伝達が行われ、すぐに熱平衡に達するため、シート状リアル T/C キット測定された温度は基板の真の温度に限りなく近づき、基板温度の真の測定を実現する。

n 主な技術パラメータ：

-基板サイズ：4インチ

-基板ベース：石英針（オプションSiCコーティング黒鉛）

-温度範囲：150-1250℃

-加熱速度：10-200℃/S

-温度均一性：≤±1.5% （@800℃、シリコンウェーファー）

≤±1.0% （@800℃、SiCコーティンググラファイトの感染性の基板）

-温度制御精度：≤ ±3℃

-温度繰り返し：≤ ±3℃

-真空度：5.0 E-3 Torr/5.0 E-6 Torr

-ガス供給：標準1道N2 のパージ及び冷却ガス路は、MFC制御（オプション）3道）

-アニール期間：≥35min@1250℃

-温度制御：高速デジタルPID制御

-サイズ870mm*650mm*620mm

n基板タイプ：

-シリコンウェーファーシリコンウェハー

-複合半導体ウェーファー化合物半導体基板

-LED用GaN/サファイアウェーファー使用＃シヨウ＃LED ののGaN ／サファイア基板

-炭化シリコンウェーファー炭化ケイ素基板

-太陽電池用ポリシリコンウェーファー太陽電池用多結晶シリコン基板

-ガラス基板ガラス基板

-金属金属

-ポリマーポリマー

-グラファイトおよびカービドシリコンの感受器黒鉛と炭化ケイ素めっき黒鉛ベース

n応用分野：

イオン注入/接触焼鈍、高速熱処理（RTP），急速焼鈍（RTA）、急速熱酸化（RTO）、急速熱窒化（RTN）、真空、不活性雰囲気、酸素、水素、混合ガスなどの異なる環境で使用することができ、SiAu、SiAl、SiMo合金化、低誘電材料、結晶化、緻密化、太陽電池シート結合など。